制造商型号: | BSC196N10NSGATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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INFINEON(英飞凌) BSC196N10NSGATMA1
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BSC196N10NSGATMA1 中文资料
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BSC196N10NSGATMA1 规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSC196N10NSGATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.5A (Ta), 45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
19.6mOhm @ 45A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 42µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
34nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2300pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
78W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
BSC196N10NSGATMA1 同类别型号
库存: 62275
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.523762 | 15.52 |
10 | 13.832556 | 138.33 |
100 | 10.783336 | 1078.33 |
500 | 8.907862 | 4453.93 |
1000 | 7.032642 | 7032.64 |
2000 | 6.563774 | 13127.55 |
品牌其他型号
BSC196N10NSGATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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