制造商型号: | DMG1012UW-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 1A SOT323 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMG1012UW-7
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DMG1012UW-7 中文资料
数据手册PDF
DMG1012UW-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 736.6 pC
耗散功率 290 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.3 ns
上升时间 7.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.7 ns
典型接通延迟时间 5.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存: 610978
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.320374 | 4.32 |
10 | 2.950199 | 29.50 |
100 | 1.443006 | 144.30 |
500 | 1.203287 | 601.64 |
1000 | 0.836179 | 836.18 |
品牌其他型号
DMG1012UW-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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