制造商型号: | FQD1N60CTM |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) FQD1N60CTM
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FQD1N60CTM 中文资料
数据手册PDF
FQD1N60CTM 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 11.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 0.75 S
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQD1N60CTM_NL
单位重量 330 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 1.849998 | 4624.99 |
5000 | 1.752603 | 8763.01 |
12500 | 1.622768 | 20284.60 |
25000 | 1.596814 | 39920.35 |
品牌其他型号
FQD1N60CTM品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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