制造商型号： | IPD65R400CEAUMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V TO-252 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPD65R400CEAUMA1
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IPD65R400CEAUMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD65R400CEAUMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 15.1 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 39 nC
耗散功率 118 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD65R400CE SP001466800
单位重量 4 g
IPD65R400CEAUMA1 同类别型号
库存： 81872
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.708723 | 13.71 |
| 10 | 11.203766 | 112.04 |
| 100 | 8.717503 | 871.75 |
| 500 | 7.389252 | 3694.63 |
| 1000 | 6.019252 | 6019.25 |
品牌其他型号
IPD65R400CEAUMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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