制造商型号: | SIR692DP-T1-RE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIR692DP-T1-RE3
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SIR692DP-T1-RE3 中文资料
数据手册PDF
SIR692DP-T1-RE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 24.2 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 32 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 62 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 5127
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.396818 | 21.40 |
10 | 17.751895 | 177.52 |
100 | 14.124388 | 1412.44 |
500 | 11.951616 | 5975.81 |
1000 | 10.140724 | 10140.72 |
品牌其他型号
SIR692DP-T1-RE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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