制造商型号: | NTZS3151PT1G |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ON(安森美) NTZS3151PT1G

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NTZS3151PT1G 中文资料
数据手册PDF
NTZS3151PT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 950 mA
漏源电阻 195 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.6 nC
耗散功率 170 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 23.7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
库存: 10408
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.298232 | 5.30 |
10 | 4.303198 | 43.03 |
100 | 2.933411 | 293.34 |
500 | 2.200447 | 1100.22 |
1000 | 1.650336 | 1650.34 |
2000 | 1.512839 | 3025.68 |
品牌其他型号
NTZS3151PT1G品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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