制造商型号: | SI2342DS-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI2342DS-T1-GE3
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SI2342DS-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI2342DS-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2342DS-T1-BE3
单位重量 8 mg
库存: 1232
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.096029 | 6.10 |
10 | 5.175404 | 51.75 |
100 | 3.594168 | 359.42 |
500 | 2.805916 | 1402.96 |
1000 | 2.280661 | 2280.66 |
品牌其他型号
SI2342DS-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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