SI2342DS-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 8 V
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1070pF @4VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
高度 1.05 mm
封装 SOT-23
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
SI2342DS-T1-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI2342DS-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI2342DS-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI2342DS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 8 V, 0.014 ohm, 4.5 V, 800 mV 新 | 搜索库存 |