制造商型号： | NVTR01P02LT1G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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ON(安森美) NVTR01P02LT1G
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NVTR01P02LT1G 中文资料
数据手册PDF
NVTR01P02LT1G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 220 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.25 V
栅极电荷 3.1 nC
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 2994
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.653814 | 6.65 |
| 10 | 4.728454 | 47.28 |
| 100 | 2.384048 | 238.40 |
| 500 | 2.113081 | 1056.54 |
| 1000 | 1.644341 | 1644.34 |
品牌其他型号
NVTR01P02LT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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