制造商型号: | SIHJ10N60E-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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SILICONIX(威世) SIHJ10N60E-T1-GE3
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SIHJ10N60E-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHJ10N60E-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 313 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 89 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 24 ns
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 21.880495 | 21.88 |
10 | 19.678144 | 196.78 |
100 | 15.81545 | 1581.55 |
500 | 12.993867 | 6496.93 |
1000 | 11.137601 | 11137.60 |
品牌其他型号
SIHJ10N60E-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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