制造商型号: | NTMYS011N04CTWG |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | FET 40V 35A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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ON(安森美) NTMYS011N04CTWG
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NTMYS011N04CTWG 中文资料
数据手册PDF
NTMYS011N04CTWG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 12 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 7.9 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 111 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
NTMYS011N04CTWG 同类别型号
库存: 5193
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 33.500377 | 33.50 |
10 | 30.043801 | 300.44 |
100 | 24.152233 | 2415.22 |
500 | 19.843115 | 9921.56 |
1000 | 16.441583 | 16441.58 |
品牌其他型号
NTMYS011N04CTWG品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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