制造商型号： | NVMYS025N06CLTWG |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | FET NCH 60V 20A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NVMYS025N06CLTWG
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NVMYS025N06CLTWG 中文资料
数据手册PDF
NVMYS025N06CLTWG 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 27.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.5 ns
正向跨导（Min） 20 S
上升时间 12.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
库存： 5735
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.141418 | 11.14 |
| 10 | 9.668276 | 96.68 |
| 100 | 6.695993 | 669.60 |
| 500 | 5.594478 | 2797.24 |
| 1000 | 4.761223 | 4761.22 |
品牌其他型号
NVMYS025N06CLTWG品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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