制造商型号: | RF4C100BCTCR |
制造商: | ROHM (罗姆) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | PCH -20V -10A MIDDLE POWER MOSFE |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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ROHM(罗姆) RF4C100BCTCR
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RF4C100BCTCR 中文资料
数据手册PDF
RF4C100BCTCR 规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 15.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 23.5 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 86 ns
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 110 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RF4C100BC
单位重量 771.020 mg
库存: 2934
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.193724 | 10.19 |
10 | 8.813842 | 88.14 |
100 | 6.102559 | 610.26 |
500 | 5.098602 | 2549.30 |
1000 | 4.339295 | 4339.30 |
品牌其他型号
RF4C100BCTCR品牌厂家:ROHM
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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