制造商型号： | SIHG25N40D-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHG25N40D-GE3
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SIHG25N40D-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHG25N40D-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 14 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 16 ns
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 163
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 47.941361 | 47.94 |
| 10 | 43.023662 | 430.24 |
| 100 | 35.249256 | 3524.93 |
| 500 | 30.007585 | 15003.79 |
| 1000 | 27.115286 | 27115.29 |
品牌其他型号
SIHG25N40D-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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