制造商型号： | IPN60R3K4CEATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPN60R3K4CEATMA1
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IPN60R3K4CEATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPN60R3K4CEATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 2.6 A
漏源电阻 7.96 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 4.6 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R3K4CE SP001434888
单位重量 112 mg
IPN60R3K4CEATMA1 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.471792 总价：￥6.47 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.471792 | 6.47 |
| 10 | 5.558807 | 55.59 |
| 100 | 4.152348 | 415.23 |
| 500 | 3.262246 | 1631.12 |
| 1000 | 2.52088 | 2520.88 |
品牌其他型号
IPN60R3K4CEATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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