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DIODES(美台) DMG1012TQ-7

DIODES(美台) DMG1012TQ-7
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

DMG1012TQ-7

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET NCH 20V 630MA SOT523

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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DMG1012TQ-7 中文资料

数据手册PDF

DMG1012TQ-7 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 630 mA

漏源电阻 400 mOhms

栅极电压 - 6 V, + 6 V

栅源极阈值电压 500 mV

栅极电荷 736.6 pC

耗散功率 280 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 12.3 ns

上升时间 7.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.7 ns

典型接通延迟时间 5.1 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 2 mg

库存: 973572

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥4.363681 总价:¥4.36
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 4.363681 4.36
10 2.979772 29.80
100 1.457471 145.75
500 1.215349 607.67
1000 0.84456 844.56
品牌其他型号
DMG1012TQ-7品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMG1012TQ-7、查询DMG1012TQ-7代理商; DMG1012TQ-7价格批发咨询客服;这里拥有 DMG1012TQ-7中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 DMG1012TQ-7替代型号DMG1012TQ-7数据手册PDF