DMG1012TQ-7
数据手册.pdf
Vishay Semiconductor
威世
分立器件
DMG1012TQ-7中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 280mW Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.63A
输入电容Ciss 60.67pF @16VVds
耗散功率Max 280mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-523
外形尺寸
封装 SOT-523
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
DMG1012TQ-7引脚图与封装图
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| DMG1012TQ-7 | Vishay Semiconductor 威世 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3Pin SOT-523 T/R | 搜索库存 |