制造商型号： | IPDD60R080G7XTMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPDD60R080G7XTMA1
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IPDD60R080G7XTMA1 中文资料
数据手册PDF
IPDD60R080G7XTMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 29 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 174 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 61 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R080G7 SP001632824
单位重量 762 mg
IPDD60R080G7XTMA1 同类别型号
库存： 2900
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 86.35278 | 86.35 |
| 10 | 74.041591 | 740.42 |
| 100 | 61.702987 | 6170.30 |
| 500 | 54.444121 | 27222.06 |
品牌其他型号
IPDD60R080G7XTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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