制造商型号： | SISH617DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SISH617DN-T1-GE3
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SISH617DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISH617DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 12.3 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 59 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 35 S
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 17145
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.144581 | 13.14 |
| 10 | 11.401495 | 114.01 |
| 100 | 7.889606 | 788.96 |
| 500 | 6.592293 | 3296.15 |
| 1000 | 5.610593 | 5610.59 |
品牌其他型号
SISH617DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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