制造商型号: | DMTH8012LPSQ-13 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET NCH 80V 10A POWERDI |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMTH8012LPSQ-13
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DMTH8012LPSQ-13 中文资料
数据手册PDF
DMTH8012LPSQ-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 17 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46.8 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
库存: 6503
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.811533 | 10.81 |
10 | 8.897768 | 88.98 |
100 | 6.919382 | 691.94 |
500 | 5.864574 | 2932.29 |
1000 | 4.777331 | 4777.33 |
品牌其他型号
DMTH8012LPSQ-13品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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