DMTH8012LPSQ-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
电子元器件分类
耗散功率 2.6 W
漏源极电压Vds 80 V
上升时间 6.5 ns
输入电容Ciss 2051pF @40VVds
下降时间 4.7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.6W Ta, 136W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerDI-5060-8
封装 PowerDI-5060-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMTH8012LPSQ-13 | Diodes 美台 | Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive T/R | 搜索库存 |