制造商型号： | SI3469DV-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SI3469DV-T1-GE3
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SI3469DV-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI3469DV-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3469DV-GE3
单位重量 20 mg
库存： 3000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 14.450894 | 14.45 |
| 10 | 12.963302 | 129.63 |
| 25 | 12.297428 | 307.44 |
| 100 | 9.223071 | 922.31 |
| 250 | 9.135232 | 2283.81 |
| 500 | 7.817651 | 3908.83 |
| 1000 | 6.368311 | 6368.31 |
品牌其他型号
SI3469DV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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