制造商型号： | FDD5N60NZTM |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V DPAK-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDD5N60NZTM
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FDD5N60NZTM 中文资料
数据手册PDF
FDD5N60NZTM 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 1.65 Ohms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 13 nC
耗散功率 83 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 10000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 15.071468 | 15.07 |
| 10 | 13.430623 | 134.31 |
| 100 | 10.473455 | 1047.35 |
| 500 | 8.652239 | 4326.12 |
| 1000 | 6.830658 | 6830.66 |
品牌其他型号
FDD5N60NZTM品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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