制造商型号： | IPN60R360PFD7SATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 600V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) IPN60R360PFD7SATMA1
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IPN60R360PFD7SATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 7 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN60R360PFD7S SP004038250
单位重量 116.010 mg
IPN60R360PFD7SATMA1 同类别型号
库存： 13608
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.322831 | 13.32 |
| 10 | 10.932192 | 109.32 |
| 100 | 8.504198 | 850.42 |
| 500 | 7.208024 | 3604.01 |
| 1000 | 5.871632 | 5871.63 |
品牌其他型号
IPN60R360PFD7SATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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