制造商型号: | ZXMN6A08E6QTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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DIODES(美台) ZXMN6A08E6QTA
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ZXMN6A08E6QTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN6A08E6QTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 150 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 8.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导(Min) 6.6 S
上升时间 2.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.3 ns
典型接通延迟时间 2.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 15 mg
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥10.978932 总价:¥10.98 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.978932 | 10.98 |
10 | 9.673016 | 96.73 |
100 | 7.413668 | 741.37 |
500 | 5.861131 | 2930.57 |
1000 | 4.688813 | 4688.81 |
品牌其他型号
ZXMN6A08E6QTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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