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DIODES(美台) ZXMN10A08GTA

DIODES(美台) ZXMN10A08GTA
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

ZXMN10A08GTA

制造商:

DIODES (美台)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

自营
digikey

服务:

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ZXMN10A08GTA 中文资料

数据手册PDF

ZXMN10A08GTA 规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 2.9 A

漏源电阻 250 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2 V

栅极电荷 7.7 nC

耗散功率 2 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3.2 ns

正向跨导(Min) 5 S

上升时间 2.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 8 ns

典型接通延迟时间 3.4 ns

外形参数

高度 1.65 mm

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 112 mg

库存: 有货

货期:

国内(1~3工作日)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥5.594762 总价:¥5.59

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 5.594762 5.59
10 4.655017 46.55
30 4.185144 125.55
100 3.726199 372.62
500 3.103345 1551.67
品牌其他型号
ZXMN10A08GTA品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购ZXMN10A08GTA、查询ZXMN10A08GTA代理商; ZXMN10A08GTA价格批发咨询客服;这里拥有 ZXMN10A08GTA中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 ZXMN10A08GTA替代型号ZXMN10A08GTA数据手册PDF