制造商型号: | 2N7002AQ-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) 2N7002AQ-7
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2N7002AQ-7 中文资料
数据手册PDF
2N7002AQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 220 mA
漏源电阻 6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 -
耗散功率 540 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 80 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 58053
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.582599 | 3.58 |
10 | 2.923862 | 29.24 |
100 | 1.549764 | 154.98 |
500 | 1.019308 | 509.65 |
1000 | 0.693176 | 693.18 |
品牌其他型号
2N7002AQ-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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