制造商型号: | IPD031N06L3GATMA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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客服: | |
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INFINEON(英飞凌) IPD031N06L3GATMA1
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IPD031N06L3GATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPD031N06L3GATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 79 nC
耗散功率 167 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 83 S
上升时间 78 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD031N06L3 G SP000451076
单位重量 330 mg
IPD031N06L3GATMA1 同类别型号
库存: 30996
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 37.692785 | 37.69 |
10 | 33.855592 | 338.56 |
100 | 27.215776 | 2721.58 |
500 | 22.360764 | 11180.38 |
1000 | 18.63382 | 18633.82 |
品牌其他型号
IPD031N06L3GATMA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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