制造商型号: | TSM170N06PQ56 RLG |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM170N06PQ56 RLG
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TSM170N06PQ56 RLG 中文资料
数据手册PDF
TSM170N06PQ56 RLG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 12 mOhms
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 73.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 1.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM170N06PQ56
单位重量 372.608 mg
库存: 4455
货期: | 工作日(7~10天) |
最小起订: | 1 个 |
整装: | ¥10 |
单价:咨询客服 总价:咨询客服 | |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
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1+ : 需询价 |
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TSM170N06PQ56 RLG品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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