制造商型号: | SI7450DP-T1-E3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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客服: | |
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SILICONIX(威世) SI7450DP-T1-E3
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SI7450DP-T1-E3 中文资料
数据手册PDF
SI7450DP-T1-E3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 5.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7450DP-E3
单位重量 506.600 mg
库存: 475
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 34.789686 | 34.79 |
10 | 31.214746 | 312.15 |
100 | 25.091761 | 2509.18 |
500 | 20.615168 | 10307.58 |
1000 | 17.081016 | 17081.02 |
品牌其他型号
SI7450DP-T1-E3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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