制造商型号： | UF3C065080B7S |
制造商： | UnitedSiC (碳化硅（SiC）功率半导体制造商) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET 650V/80mOhm, SiC, FAST CASCODE, G3, D2PAK-7L, REDUCED Rth |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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UnitedSiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) UF3C065080B7S
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UF3C065080B7S 中文资料
数据手册PDF
UF3C065080B7S 规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 136.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns, 6 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 8 ns, 7 ns
典型关闭延迟时间 25 ns, 26 ns
典型接通延迟时间 25 ns, 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
库存： 4837
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
