制造商型号: | SIHD9N60E-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIHD9N60E-GE3
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SIHD9N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHD9N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 320 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 26 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 13 ns
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 14 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存: 2990
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 22.982204 | 22.98 |
10 | 20.597491 | 205.97 |
25 | 19.428612 | 485.72 |
100 | 15.155899 | 1515.59 |
250 | 14.766931 | 3691.73 |
500 | 12.823823 | 6411.91 |
1000 | 10.880714 | 10880.71 |
2500 | 10.725276 | 26813.19 |
5000 | 9.948083 | 49740.42 |
品牌其他型号
SIHD9N60E-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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