制造商型号： | SI3417DV-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SI3417DV-T1-GE3
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SI3417DV-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI3417DV-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 36 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
SI3417DV-T1-GE3 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥5.34794 总价：￥5.35 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.34794 | 5.35 |
| 10 | 4.533595 | 45.34 |
| 100 | 3.387434 | 338.74 |
| 500 | 2.661816 | 1330.91 |
| 1000 | 2.057012 | 2057.01 |
品牌其他型号
SI3417DV-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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