制造商型号: | SIRA64DP-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SIRA64DP-T1-GE3
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SIRA64DP-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIRA64DP-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 2.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 43 nC
耗散功率 27.8 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIRA64DP-T1-GE3 同类别型号
库存: 1859
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 11.98534 | 11.99 |
10 | 10.663246 | 106.63 |
100 | 8.315603 | 831.56 |
500 | 6.869206 | 3434.60 |
1000 | 5.423057 | 5423.06 |
品牌其他型号
SIRA64DP-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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