制造商型号: | DMP210DUFB4-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMP210DUFB4-7
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DMP210DUFB4-7 中文资料
数据手册PDF
DMP210DUFB4-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 350 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31.5 ns
上升时间 19.3 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25.9 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 mg
库存: 69472
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.19615 | 3.20 |
10 | 2.65162 | 26.52 |
100 | 1.403938 | 140.39 |
500 | 0.923332 | 461.67 |
1000 | 0.627866 | 627.87 |
品牌其他型号
DMP210DUFB4-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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