制造商型号: | DMP1011UCB9-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) DMP1011UCB9-7
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DMP1011UCB9-7 中文资料
数据手册PDF
DMP1011UCB9-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 8.2 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 8.1 nC
耗散功率 890 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22.7 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 22.6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30.1 ns
典型接通延迟时间 6.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.800 mg
库存: 15039
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.311583 | 10.31 |
10 | 9.044376 | 90.44 |
100 | 6.931123 | 693.11 |
500 | 5.478805 | 2739.40 |
1000 | 4.383044 | 4383.04 |
品牌其他型号
DMP1011UCB9-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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