制造商型号： | UF3C065080K3S |
制造商： | SiC (碳化硅（SiC）功率半导体制造商) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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SiC(碳化硅（SiC）功率半导体制造商) UF3C065080K3S
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UF3C065080K3S 中文资料
数据手册PDF
UF3C065080K3S 规格参数
关键信息
制造商 UnitedSiC
商标名 SiC FET
商标 UnitedSiC
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 6 V
栅极电荷 51 nC
耗散功率 190 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
库存： 566
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 118.598521 | 118.60 |
| 10 | 107.087079 | 1070.87 |
| 100 | 88.654834 | 8865.48 |
| 500 | 77.199136 | 38599.57 |
| 1000 | 69.821222 | 69821.22 |
品牌其他型号
UF3C065080K3S品牌厂家：SiC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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