制造商型号： | SIHF065N60E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET EF SERIES 600V TO-220 FUL |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SIHF065N60E-GE3
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SIHF065N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHF065N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 12 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 823
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 80.561274 | 80.56 |
| 10 | 72.739912 | 727.40 |
| 25 | 69.351889 | 1733.80 |
| 100 | 57.512348 | 5751.23 |
| 250 | 54.129269 | 13532.32 |
| 500 | 50.746189 | 25373.09 |
| 1000 | 45.67157 | 45671.57 |
| 2500 | 43.980031 | 109950.08 |
品牌其他型号
SIHF065N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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