制造商型号： | FDD4N60NZ |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDD4N60NZ
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FDD4N60NZ 中文资料
数据手册PDF
FDD4N60NZ 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.7 A
漏源电阻 1.9 Ohms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.8 ns
正向跨导（Min） 3.4 S
上升时间 15.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30.2 ns
典型接通延迟时间 12.7 ns
外形参数
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
库存： 2505
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
FDD4N60NZ品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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