制造商型号： | BSZ0905PNSATMA1 |
制造商： | INFINEON (英飞凌) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | 30V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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INFINEON(英飞凌) BSZ0905PNSATMA1
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BSZ0905PNSATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 8.7 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 43.2 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 30 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 16 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ0905PNS SP005399015
单位重量 38.760 mg
品牌其他型号
BSZ0905PNSATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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