制造商型号： | NTP082N65S3F |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 650V 82 MOHM TO220 P |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) NTP082N65S3F
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NTP082N65S3F 中文资料
数据手册PDF
NTP082N65S3F 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET III
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 70 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 81 nC
耗散功率 313 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 27 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 39.555934 | 39.56 |
| 10 | 35.542425 | 355.42 |
| 100 | 29.120233 | 2912.02 |
| 500 | 24.789467 | 12394.73 |
| 1000 | 20.906788 | 20906.79 |
品牌其他型号
NTP082N65S3F品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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