制造商型号： | SVD5867NLT4G |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) SVD5867NLT4G
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SVD5867NLT4G 中文资料
数据手册PDF
SVD5867NLT4G 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 39 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 360 mg
SVD5867NLT4G 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 2500 | 1.702724 | 4256.81 |
| 5000 | 1.585262 | 7926.31 |
| 12500 | 1.526559 | 19081.99 |
| 25000 | 1.467856 | 36696.40 |
品牌其他型号
SVD5867NLT4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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