制造商型号: | ZVN2106GTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZVN2106GTA
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ZVN2106GTA 中文资料
数据手册PDF
ZVN2106GTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 710 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 0.3 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
库存: 5032
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 10.772206 | 10.77 |
10 | 9.470071 | 94.70 |
100 | 7.264728 | 726.47 |
500 | 5.742414 | 2871.21 |
品牌其他型号
ZVN2106GTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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