SI8800EDB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.066 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 900 mW
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
下降时间 350 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI8800EDB-T2-E1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Semiconductor 威世 | N沟道20 V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20 V D-S MOSFET | 搜索库存 |