制造商型号: | FDN302P |
制造商: | ON (安森美) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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ON(安森美) FDN302P
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FDN302P 中文资料
数据手册PDF
FDN302P 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDN302P_NL
单位重量 30 mg
库存: 126535
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 1.65971 | 1.66 |
5 | 0.653606 | 3.27 |
10 | 1.295798 | 12.96 |
30 | 1.228834 | 36.87 |
50 | 0.482968 | 24.15 |
品牌其他型号
FDN302P品牌厂家:ON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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