制造商型号： | FDN357N |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ON(安森美) FDN357N
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FDN357N 中文资料
数据手册PDF
FDN357N 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 81 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.9 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.12 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDN357N_NL
单位重量 30 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥6.436205 总价：￥6.44 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 6.436205 | 6.44 |
| 10 | 5.501134 | 55.01 |
| 100 | 4.105813 | 410.58 |
| 500 | 3.225632 | 1612.82 |
| 1000 | 2.492513 | 2492.51 |
品牌其他型号
FDN357N品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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