制造商型号: | BSS308PEH6327XTSA1 |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 30V 2A SOT23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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INFINEON(英飞凌) BSS308PEH6327XTSA1
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BSS308PEH6327XTSA1 中文资料
数据手册PDF
BSS308PEH6327XTSA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 62 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导(Min) 4.6 S
上升时间 7.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns
典型接通延迟时间 5.6 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS308PE H6327 SP000928942
单位重量 40 mg
BSS308PEH6327XTSA1 同类别型号
库存: 142832
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.108894 | 5.11 |
10 | 3.999892 | 40.00 |
100 | 2.402428 | 240.24 |
500 | 2.224489 | 1112.24 |
1000 | 1.512607 | 1512.61 |
品牌其他型号
BSS308PEH6327XTSA1品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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