制造商型号: | RN1711JE(TE85L,F) |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-双极 |
商品描述: | TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Toshiba(东芝) RN1711JE(TE85L,F)
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RN1711JE(TE85L,F) 中文资料
数据手册PDF
RN1711JE(TE85L,F) 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN
直流集电极 120
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
耗散功率 100 mW
集电极—基极电压 50 V
直流电流增益(Max) 700
发射极 - 基极电压 5 V
最大直流电集电极电流 100 mA
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 3 mg
RN1711JE(TE85L,F) 同类别型号
库存: 8000
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 4.81885 | 4.82 |
10 | 3.558535 | 35.59 |
25 | 3.113718 | 77.84 |
100 | 1.690304 | 169.03 |
250 | 1.681408 | 420.35 |
500 | 1.378932 | 689.47 |
1000 | 1.023079 | 1023.08 |