制造商型号： | GCMS080A120S1-E1 |
制造商： | SEMIQ |
产品类别： | 功率驱动器模块 |
商品描述： | SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | mouser digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SEMIQ GCMS080A120S1-E1
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GCMS080A120S1-E1 中文资料
数据手册PDF
GCMS080A120S1-E1 规格参数
关键信息
制造商 SemiQ
产品 Power MOSFET Modules
商标 SemiQ
技术类参数
正向电压 1.54 V
反向电压 1200 V
栅极电压 - 10 V, 25 V
下降时间 35 ns
漏极电流 120 A
工作电源电压 -
耗散功率 640 W
漏源电阻 80 mOhms
上升时间 53 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel and SBD
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 15 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 2 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 SiC Power Module
安装风格 Screw Mount
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
库存： 1
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 780.546 | 780.55 |
| 10 | 677.688622 | 6776.89 |
| 100 | 623.130674 | 62313.07 |
| 250 | 601.634027 | 150408.51 |
