制造商型号： | DMP21D0UFB-7B |
制造商： | Diodes Incorporated (美台) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Diodes Incorporated(美台) DMP21D0UFB-7B
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DMP21D0UFB-7B 中文资料
数据手册PDF
DMP21D0UFB-7B 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 770 mA
漏源电阻 960 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.5 nC
耗散功率 430 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18.5 ns
正向跨导（Min） 50 mS
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 P-Channel, ESD
典型关闭延迟时间 31.7 ns
典型接通延迟时间 7.1 ns
外形参数
高度 0.5 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 43.773 mg
品牌其他型号
DMP21D0UFB-7B品牌厂家：Diodes Incorporated
，所属分类： 未分类
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